Name: Vishay Siliconix SI7224DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7224DN-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7224DN-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7224DN-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Datenblätte:

1.SI7224DN-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf Mult Devices 18/Jul/2017.pdf SI7224DN.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7224DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7224DN-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 6.5A, 10V
Leistung - max	17.8W, 23W
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI7224
SI7224DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7224DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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